юридическая фирма 'Интернет и Право'
Основные ссылки







Яндекс цитирования

Рассылка 'BugTraq: Закон есть закон'



Rambler's Top100



Каталог ГОСТ

Актуальность базы: 01.01.2019, объем: 43,426 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
136 ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь 30.06.1989 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
в) резонаторный метод
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75
137 ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления 30.06.1977 действующий
 
Англ. название: Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления
138 ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности 01.01.1979 действующий
 
Англ. название: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный
139 ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты 01.01.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты
140 ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений
141 ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей 30.06.1987 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
142 ГОСТ 19748.2-74 Трубки электронно-лучевые функциональные. Методы измерения основных параметров 01.01.1976 действующий
 
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на функциональные электронно-лучевые трубки с электростатическим отклонением и фокусировкой луча, предназначенные для получения функции двух аргументов Z=f (x, y), и устанавливает методы измерения следующих основных параметров:
тока коллектора, соответствующего максимальному значению функции;
средней погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции;
максимальной погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции
143 ГОСТ 19785-74 Трубки электронно-лучевые осциллографические. Методы измерения основных параметров заменён
 
Англ. название: Oscillographic electron-beam tubes. Methods for measurement of basic parameters
Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-88
144 ГОСТ 19785-88 Трубки электронно-лучевые приемные. Методы измерения и контроля параметров 01.01.1989 действующий
 
Англ. название: Cathode-ray tubes for reception. Methods for measurement and control of parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на приемные электронно-лучевые трубки следующих видов: осциллографические, индикаторные, фоторегистрирующие, просвечивающие, проекционные катодолюминесцентные, монохромные и цветные кинескопы, в том числе телевизионные и дисплейные (трубки).
Стандарт не распространяется на сверхвысокочастотные осциллографические трубки, разработанные до 01.07.89, а также на приемные трубки производственно-технического назначения и широкого применения следующих видов: кинескопы черно-белого изображения; масочные трехпрожекторные кинескопы цветного изображения.
Для измерения параметров монохромных и цветных дисплейный кинескопов, разработанных до 01.07.91, допускаются по согласованию с заказчиком (потребителем) применение методов, изложенных в ТУ на трубки
Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-74
145 ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители
Нормативные ссылки: ГОСТ 30350-96 в части общих требований к аппаратуре
146 ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров 30.06.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
147 ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
148 ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения 30.06.1977 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
149 ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
150 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении

 

Источник информации: http://www.internet-law.ru/gosts/2828/?f1=&f2=0&f3=0&f4=0&p=9

 

Добавить эту страницу в закладки:

 


 

Произвольная ссылка:

Разработка сайта
ArtStyle Group

Уважаемый посетитель!

Вы, кажется, используете блокировщик рекламы.

Пожалуйста, отключите его для корректной работы сайта.