юридическая фирма 'Интернет и Право'
Основные ссылки







Яндекс цитирования

Рассылка 'BugTraq: Закон есть закон'



Rambler's Top100



Каталог ГОСТ

Актуальность базы: 01.06.2019, объем: 43,676 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
16 ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения 30.06.1984 действующий
 
Англ. название: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
Нормативные ссылки: ГОСТ 21934-76 ГОСТ 22899-78
17 ГОСТ 23900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры 30.06.1988 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более
Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79
18 ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания
19 ГОСТ 24376-91 Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия 01.01.1992 действующий
 
Англ. название: Semiconductor inverters. General specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью
Нормативные ссылки: ГОСТ 24376-86ГОСТ 26830-86 в части полупроводниковых инверторов
20 ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. Test and measurement methods
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках
21 ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования 01.01.1990 действующий
 
Англ. название: Semiconductor frequency converters. General technical requirements
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями
Нормативные ссылки: ГОСТ 24607-81 ГОСТ 26088-84ГОСТ 26830-86 в части преобразователей частоты
22 ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров 30.06.1988 действующий
 
Англ. название: Semiconductor optoelectronic devices. Terms, definitions and letter symbols of parameters
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности
Нормативные ссылки: ГОСТ 22274-80 ГОСТ 23562-79 ГОСТ 24403-80
23 ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры 01.01.1989 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor modules. Orerall and mounting dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули на средние или действующие значения токов 10 А и более, предназначенные для использования в статических преобразователях электроэнергии, а также в других силовых установках постоянного и переменного тока, и устанавливает габаритные и присоединительные размеры и конструктивные исполнения модулей
24 ГОСТ 28167-89 Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые. Общие технические требования 01.01.1991 действующий
 
Англ. название: Semiconductor alternating voltage converters. General specifications
Нормативные ссылки: ГОСТ 26830-86 в части преобразователей переменного напряжения
25 ГОСТ 28578-90 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические испытания 01.01.1991 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает методы испытаний, применяемые к полупроводниковым приборам (дискретным приборам и интегральным схемам)
26 ГОСТ 28623-90 Приборы полупроводниковые. Часть 10. Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы 01.01.1991 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Part 10. General specification for discrete devices and integrated circuits
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие технические условия на полупроводниковые приборы, дискретные приборы и интегральные микросхемы, включая многокристальные микросхемы, за исключением оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем
27 ГОСТ 28624-90 Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы 01.01.1991 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices
Область применения: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов
28 ГОСТ Р 50471-93 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения 01.01.1994 действующий
 
Англ. название: Semiconductor photoemitters. Measuring method for halfintensity angle
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает метод измерения угла излучения. Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 19834.0, термины - по ГОСТ 27299
29 ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения 01.08.2017 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством

 

Источник информации: https://www.internet-law.ru/gosts/664/?f1=&f2=0&f3=0&f4=0&p=1

 

Добавить эту страницу в закладки:

 


 

Произвольная ссылка:

Разработка сайта
ArtStyle Group

Уважаемый посетитель!

Вы, кажется, используете блокировщик рекламы.

Пожалуйста, отключите его для корректной работы сайта.